Oct 132015
 

Електронни елементи се наричат съставните части на електронната схема. Електронните елементи и компоненти са изграждащите елементи на електрониката. Имат два или повече извода и се свързват чрез запояване. Чрез печатни платки и електронни елементи се изграждат електронни схеми, които изпълняват определени функции. Все по-често те се интегрират в микропроцесори, миниатюризират се и стават част от масиви и интегрални схеми, но тогава говорим за микроелектроника. Електронните елементи се делят на активни и пасивни.

operacionen usilvatel

Пасивни електронни елементи

При пасивните електронни елементи волт-амперната характеристика е линейна. Това са базови елементи, които можем да открием практически във всяка електронна схема на радиоелектронната апаратура. Най характерни сред тях са :

  • съпротивления (резистори). Резисторът се използва в електрониката като ограничител на напрежението. Детерминиращия параметър е неговото омическо съпротивление. То е посочено върху корпуса му чрез цветен код. Материалът, от който е направен резистора е вид диелектрик.  Резисторите се произвеждат със стандартизирани стойности. Върху съпротивлението на резистора влияят различни външни фактори, най-силен от които е температурата.
  • кондензатори. Кондензаторът е електронен елемент, който има способността да съхранява електрическата енергия. Специфичното за него е, че е полярен – има положителен и отрицателен полюс. Както при резистора и при кондензатора, информация за неговия капацитет дава цветния код за кондензатори.
  • кварцов резонатор

и др.

Активните електронни елементи имат нелинейна волт-амперна характеристика. по-популярни сред тях са:

  • транзистор
  • тиристор
  • варистор
  • диод
  • оптрон
  • кварцов генератор
  • триаци, диаци и др.

За тези и други електронни елементи в настоящия блог има отделни статии, затова тук няма да се спирам на техните видове, принцип на работа и приложение. Тук ще разгледаме някои от електронните елементи, намиращи най-често приложение в електрониката, оптоелектрониката, радиотехниката и автоелектрониката.

Варистори

Варисторите са нелинейни полупроводникови съпротивителни елементи със симетрична волт амперна характеристика. Съпротивлението на варисторите се променя в зависимост от напрежението, приложено върху тях. Варисторът има като основна своя характеристика прагова стойност на напрежението. Когато напрежението я достигне, варисторът увеличава съпротивлението си до безкрайност и през него не протича електрически ток. Други параметри, служещи за избор на варистори са работен ток и максимална разсейвана мощност, която ако се превиши, варистора може да изгори. Варисторите се свързват паралелно в електрическата верига и служат за защита на други електронни елементи или устройства в схемите от възникнали пикови импулсни напрежения от мълнии, неизправности в мрежата и др. Означението на варисторите е VDR (voltage dependent resistor), а името им се образува от  varable resistor.

Кварцов генератор

При кварцовия генератор, за разлика от кварцовия резонатор, който използва ефектът на поляризация на диелектрик под механично налягане, наречена пиезоефект, се използва обратния пиезоефект. При подаване на променливо напрежение между електродите на кварцов резонатор в него възникват механични трептения, които са пропорционални на интензитета на приложеното електрическо поле. В пластината на кварцовия генератор възникват различни видове трептения, които зависят от формата на пластината. В резултат на разтрептяването на пластината с определена честота може да възникне последователен резонанс, при което амплитудата на трептенията става максимална, а електрическото съпротивление между двата електрода минимално. Кварцовият генератор се състои от кварцова пластина SiO₂ два електрода и корпус.

Триак (симистор)

Симисторите, известни още и като симетрични тиристори или триаци (англ. triac — triode for alternating current) са полупроводникови елементи от групата на тиристорите. Симисторът е проектиран при използване на петслойна структура и има двупосочно регулируема проводимост. Петслойната структурата с четири прехода между тях може да се разглежда като обединение на два тиристора. Отпушването на двата тиристора се извършва чрез импулси на управляващия ток с една и съща полярност. Двупосочността на симисторите ги прави приложими в безконтактните регулатори за променлив ток, за контрол на индуктивни товари с малка мощност, регулируеми осветителни тела и др.

Оптоелементи

Оптоелементите или фотоелементите са полупроводникови фотоелектрически компонент, преобразуващ светлинната енергия в електрическа или обратно. Прилагат се в сензори за светлина, киномашини, автоматиката, електронните схеми и др. Нека за по-голяма яснота разгледаме някои оптоелементи:

оптронът е електронен елемент, който се използва за прехвърляне на електрически сигнал между две галванично изолирани вериги, посредством светлина. Оптронът предпазва системата приемаща сигнала от образуването на пренапрежение. Най-често се състоят от източник на светлина (светодиод) и фототранзистор монтирани в един корпус.

фототранзисторът е високочувствителен полупроводников  слабоинерционен преобразувател на светлинни сигнали в електрически. Фототранзисторите могат да усилват електрическия поток,  генериран чрез светлина. Фототранзисторите се предпочитани пред фотодиодите при необходимост от голяма мощност на изхода.За емитер се използва падащият светлинен сноп.

фотодиодът е полупроводников високочувствителен нискоинерционен преобразувател на светлинни сигнали в електрически ток чрез фотоелектричен ефект на PN прехода.

fotodiod

фоторезисторът е полупроводников елемент, омическото съпротивление на който, зависи от степента на осветеност. Принципът на действие на фоторезистора е явлението фотопроводимост на полупроводниците. Фотопроводимостта е увеличаване на електрическата проводимост на полупроводници под действието на светлината. Причината за фотопроводимостта е повишаване на концентрацията на носителите на заряд – електроните в зоната на проводимост и дупките във валентната зона. Светлочувствителният слой от полупроводников материал е разположен между двата токопроводящи електрода. Под влияние на светлинния поток електрическо съпротивление на слоя се променя няколко пъти (при някои видове фоторезистори то намалява с два-три порядъка).

Тиристор
 Тиристорът е полупроводников електронен елемент, управляем диод. Използва се като електронен ключ, чрез който се превключват електрически вериги с високо напрежение и големи токове. Прилага се в пускови схеми, токоизправители, регулатори и др.
 Транзистор

Транзисторът е полупроводников елемент, който се състои от три извода и три последователно съединени зони с различно легиране, което определя прехода на транзистора (PNP или NPN). Съществува голямо разнообразие от различни видове транзистори, като са се очертали две основни групи: биполярни и полеви транзистори. Най-важната особеност на биполярните транзистори е тази, че при тях има инжекция на токоносители през PN прехода и работния им ток се обуславя едновременно от два вида токоносители, откъдето идва и наименованието им биполярни.  При полевите транзистори липсва инжекция на токоносители през прехода и работния им ток се обуславя или само от електрони или само от дупки, поради това полевите транзистори се наричат още униполярни. Транзисторът може да се използва за усилване, комутация и преобразуване на електронен сигнал. Транзисторите са с огромно практическо приложение и са активни елементи в почти всички съвременни електронни устройства. Често се използват асемблирани в интегрални схеми и чипове. Най-общо, методът на работа на транзистора се базира на негово свойство да променя напрежение или токов импулс, пропуснат през едната двойка изводи. Изходящото напрежение или ток през друга двойка изводи е по-високо или респективно по-ниско. Основни видове транзистори са:

– IGBT. Наименованието IGBT идва от Insulated-Gate Bipolar Transistor. IGBT e триелектроден биполярен мощен електронен елемент използван главно като мощен електронен ключ в импулсни захранвания, инвертори и в системи за контрол на електрически задвижвания. IGBT съчетава качествата на два транзистора: полевите и биполярните – високо входно съпротивление при ниско ниво на управляващата мощност, както и ниска остатъчна стойност на напрежението при включено състояние.

tranzistor

 – JFET. JFET e полеви транзистор с управляващ PN – преход, наименованието JFET идва от Junction Field – Effect Transistor. В транзисторите JFET управлението на изходния ток се осъществява посредством входното напрежение.

 

– MOSFET. Наименованието MOSFET идва от metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (метал–оксид–полупроводников транзистор с полеви ефект). Той представлява електронна версия на ключ. MOS ключове се използват широко в компютри, микропроцесори, памети, периферни схеми и други. Предимства: високо входно съпротивление, ниска консумация на мощност, по – добра температурна стабилност, слаба чувствителност към радиация. Използват се в силовата електроника, аудио техниката, медицинската електроника, интегралните схеми, компютърна, автомобилна, авиационна, космическа индустрии, домакински уреди и др. Могат да са два типа: P-канален MOS-P-FET и N-канален съответно MOS-N-FET.

– Биполярни. Биполярните транзистори са едни от най-разпространените полупроводникови елементи. Биполярните транзистори се класифицират по мощност: маломощни, средномощни и мощни; по гранична честота: нискочестотни — до 3 MHz, средночестотни — от 30 до 300 MHz и високочестотни — над 300 MHz; по редуването на прехода PNP и NPN; по използвания материал: силициеви или германиеви. Използват се за усилване, преобразуване и генериране на електрически сигнали. Биполярният транзистор е елемент, който се управлява с ток.

– Еднопреходни. При еднопреходните транзистори има две бази и един емитер. Еднопреходният транзистор е биполярен триелектроден елемент с един PN преход.

Пелтие елементи

Елементът на Пелтие представлява плочка с голям брой термодвойки (над 100). При подаване на електрически ток към изводите на елемента, едната му страна се загрява, а другата се изстудява. На загряващата се страна се слага охлаждащ радиатор, за да не прегрее. От степента на охлаждане на загрятата страна, зависи колко ниска ще стане температурата на студената страна. Използва се в диспенсърите за вода, хладилните чанти и др.

peltie

Кондензатори

Кондензаторите представляват пасивни електронни елементи, които могат да съхраняват електрически заряд, но също така пропускат преминаването на променлив ток през тях. Кондензаторът се състои от два или повече проводника, между които е поставен различен тип диелектрик. При наличие на потенциална разлика (напрежение) между двата проводника се поражда статично електрично поле, което е разделено от диелектрика на положителни и отрицателни заряди, съхранявани съответно при положителния и отрицателния полюс на кондензатора. Най-широка употреба, кондензаторите намират във вериги и системи, където се изисква блокирането на правотокови заряди и пропускането на променливотокови такива. В зависимост от строежа, разположението и формата на проводниците, както и типа на използвания диелектрик, кондензаторите могат да бъдат електролитни, филтърни, керамични, полипропиленови, хартиени, стирофлексни, танталови и др. Според приложението им са пускови, работни, филтър-кондензатори, тример-кондензатори и др.

Диоди

Диодите са полупроводникови елементи, снабдени с два извода – положителен и отрицателен (анод и катод). Диода се състои от полупроводников материал, който позволява протичането на ток само в едната посока, в зависимост от това как е проектиран диодът. В полупроводниковия материал, от който е съставен диодът, е създаден P-N преход. Всеки диод има характерна за него волт – амперна характеристика. Диодите са изключително разнообразни и се поделят на няколко големи групи, в зависимост от своя строеж, функция, мощност, честота и пр. Най-общо диодите могат да бъдат изправителни, ценерови, диоди на Шотки, фотодиоди, варикапи и др.

Интегрални схеми

Интегралната схема или чип е конфигурация от електронни елементи миниатюризирани и поставени върху силициева пластина. Интегралните схеми не могат да се разглеждат като електронен елемент. Те по-скоро представляват електронен компонент. В съвременната интегрална схема електронните елементи рядко съществуват в дискретен вид, те са вид микропроцесори или микроконтролери, работещи с двоичен код. В зависимост от електронните елементи, от които се състоят ИС са аналогови, цифрови и комбинирани. Аналоговите се състоят от пасивни електронни елементи – резистори и кондензатори, рядко транзистори, служат като сензори, захрнващи вериги, операционни усилватели и модифицират аналлогови сигнали. Цифровите се състоят главно от транзистори, логически елементи, тригерни елементи, микропроцесори. Работят с двоичната бройна система. Комбинираните интегрални схеми обработват както цифрови, така и аналогови сигнали.

 

 

 

Jul 062015
 

При свързването на светодиоди се използва ограничителен резистор, който ограничава тока през светодиода и по този начин го предпазва от изгаряне. Този резистор определя работната точка на светодиода върху волт-амперната характеристика. Ако ползваме основните характеристики на LED от първата част на статията, ще имаме следната формула за изчисляване на стойността на съпротивлението: съпротивлението ще е равно на разликата между подаденото напрежение и пада на напрежението в права посока на самия светодиод, разделено на максималния продължителен ток в права посока на диода или

R=(U-Up)/I

ако не сте много добри със сметките има изчисляващи схеми, при които, ако знаете какво напрежение подавате, пада на напрежение върху LED и тока на светодиода – вграденият в схемата калкулатор сам изчислява нужното съпротивление:

rezistor for LED

Изчислителна схема за избор на резистор за LED. Последвайте линка вграден в снимката за да изчислите съпротивлението.

Ако изчислената стойност на съпротивлението не е стандартна, алгоритъма на схемата предвижда посочването на най-близката стандартна стойност на резистор. Препоръчва се, при избора да се спрете на най-близката по-голяма стойност на съпротивлението, за да има известен запас схемното решение. Ако подаваното напрежение варира в определени граници, във формулата се поставя неговата най-висока възможна стойност.

Често обаче се налага използването на повече от един LED. В такъв случай се използва последователно (серийно) свързване на светодиодите. В този случай избора на съпротивление зависи от общия пад на напрежението върху всички диоди.

R=(U-NxUp)/I

където N е броя на светодиодите.

rezistor for series LED

Изчислителна схема за последователно свързани LED. За изчисляване на резистора последвайте линка вграден в снимката.

Тази схема също открива и препоръчва най-близката до изчисленото, стандартна стойност на съпротивлението, когато изчислената стойност не отговаря на стандартен резистор.

Не винаги обаче разполагаме с достатъчно голямо захранващо напрежение, за да включим всички диоди, които са необходими, последователно, тогава се прави т.н. паралелно свързване. При него към всеки светодиод се поставя съпротивление или се използват поредици от успоредно свързани серийни вериги от светодиоди.

LED-resistor-parallel-circuit

Паралелно свързване на LED

ledlig41

Тъй като върху резистора се разсейва мощност, това се явява загуба, затова стремежът е да се използва схемно решение, при което стойността на съпротивлението на резистора да е най-ниско. Затова се предпочита серийното свързване, при което загубите са по-малки. При него сборът от падовете на напрежение върху LED, трябва да е близко, но по-малко от захранващото напрежение.

Ограничителен резистор се използва, само когато напрежението е постоянно. Когато входящото напрежение варира в много широки граници се използват специални интегрални схеми или драйвери изградени от транзистори, така управляваме светодиода чрез  биполярните PNP или NPN транзистори, които работят в ключов режим.

diode46

 

Всички тези схеми се отнасят за постоянен ток, когато обаче искаме да получим максималната светлинна енергия, която е възможно да произведат светодиодите, те се включват в импулсен режим на работа. Тогава към светодиода подаваме импулсен пиков ток, който е 2-3 пъти по-голям от продължителния ток през светодиода. Използва се ШИМ (широчинно-импулсен модулатор). Светодиодът работи в режим ON-OF, като средното ниво на тока е по-високо и интензитета на светлината е по-голям, като същевременно се вземат мерки за достатъчно разсейване на топлинната мощност, за да не прегрее LED. Честотата на импулса е достатъчно висока и човешкото око не може да види мигането, поради своята инертност. Импулси с честота 100Hz изглеждат за нас като като непрекъсната светлина.

Многоцветни LED

В днешно време технологията осигурява възможност за употребата на LED в производството на плоски телевизори с пълен набор от цветове, LED дисплеи, смартфони и др. и всичко това благодарение на употребата на голям брой разноцветни LED. Повечето диоди произвеждат само един цвят, но многоцветните диоди все повече навлизат в бита. Те произвеждат богата гама от цветове, макар че всъщност, често това се постига с два или три светодиода събрани в един корпус.

двуцветен LED

Двуцветен LED

Двуцветните LED са два светодиодни чипа съединени в инверсен паралел в общо тяло. Диодите са поставени обърнати един спрямо друг.bicolour-led

Когато тече ток в едната посока свети червено, а когато токът тече в другата – зелено. Този двуцветен диод може да се използва при определяне на полярността на акумулатори или батерии, напр. при правилно свързване да свети зелено, а при неправилно – червено.

 

Jun 152015
 

Наименованието „транзистор“ е въведено от Джон Пиърс, който е съкратил думите трансферен резистор. Относно изобретяването на първия транзистор нещата са малко спорни и са свързани с определението за транзистор – полупроводников триод с три извода, при който входния сигнал управлява тока в електрическата верига. Транзисторът е активен електронен елемент, осъществяващ усилване, превключване и преобразуване на електрически сигнали. Тъй като през годините различни учени по един или друг начин са се доближавали в експериментите си до устройство с подобни характеристики, не може категорично да се приеме кой е измислил съвременния транзистор. Това, което е сигурно е, че в лабораториите на Bell (Bell labs) Уилям Шотки, Уолтър Братейн и Джон Бардин създават първия биполярен транзистор през 1947г.  През 1956г. те получават Нобелова награда за физика за изследванията си с полупроводници и „откриването“ на транзистора. Транзисторът се състои от 3 последователно съединени зони с различен преход PNP и NPN.

транзистори

транзистор

Трите зони се наричат съответно  емитер, колектор и база при биполярен транзистор. Първоначално названието транзистор се е използвало за резистор, управляем по напрежение. Всъщност транзисторът може да бъде представен като съпротивление, което може да се регулира от напрежение на един от електродите. Транзисторът е активен полупроводников елемент, намиращ приложение в практически всички електронни устройства. Повечето транзистори се използват като съставна част от интегралните схеми и може да се достигне до милиони транзистори интегрирани в един полупроводников чип. Годишно се произвеждат милиарди самостоятелни транзистори, а така също и още толкова чипове включващи освен транзистори, резистори, кондензатори и др.

Трите основни схеми за свързване на транзистора са:

-общ емитер – осъществява усилване както по ток, така и по напрежение (най-разпространената схема);

p-n-p-common-emitter-configuration

-0бщ колектор – осъществява усилване по ток;

n-p-n-common-collector-configuration

-обща база – осъществява усилване по напрежение;

p-n-p-common-base-configuration

Според типа на използвания полупроводник транзисторите се делят на силициеви, германиеви, галиеви, арсенид-галиеви, полупроводникови полимери  и др.

Според мощността транзисторите се делят на:

-маломощни транзистори- до 100mW;

-средномощни транзистори- от 0.1 до 1W;

-мощни транзистори – над 1W.

Видове транзистори

Транзисторите могат да бъдат изключително разнообразни, затова ще се спрем само на най-разпространените видове:

1. Биполярни транзистори

Това са най разпространените дискретни полупроводникови елементи. Наименованието идва от това, че тяхната проводимост се осъществява от два (би) вида токоносители – електрони и дупки. Биполярният транзистор представлява полупроводник с два PN прехода и трислойна полупроводникова структура с различна проводимост на отделните слоеве. Има два вида биполярни транзистори: с PNP преход и NPN преход. Двата крайни слоя на биполярния транзистор се наричат емитер и колектор, а средния слой – база. Базата има проводимост обратна на проводимостта на емитера и колектора. Като правило трабва да се отбележи, че биполярният транзистор е полупроводников елемент, който се управлява по ток.

product_large_57068

Независимо от начина на свързване в схемата биполярният транзистор има за управляваща верига прехода база-емитер, съответно управлявяната верига е колектор-емитер. В зависимост от механизма на движение на токоносителите, биполярните транзистори могат да бъдат дифузни и дрейфови, а според начина, по който са направени, различаваме сплавни, мезатранзистори, конверсионни и др. Биполярните транзистори основно се използват като усилватели в електронните схеми. Два или повече биполярни транзистора могат да бъдат свързани по начин образуващ усилвател с три извода. Това се нарича съставен транзистор. Тази схема се прилага, когато искаме да получим по-голям коефициент на усилване по ток. Друга често използвана схема, позволяваща усилване по ток е схемата Дарлингтон. При нея най-често се свързват транзистори, като всеки следващ е по-мощен от предишния. Схемата гарантира голям коефициент на усилване по ток, но трудно се осъществява нейната топлинна стабилност.

 

2. Полеви транзистор

За изводите на полевите транзистори се използват английските наименования сорс, гейт и дрейн. Електрическите характеристики на полевите транзистори са близки до тези на електронните лампи тип пентод. Полевите транзистори имат високо входно съпротивление и могат да се използват като резистори, управляеми по напрежение. Полевият транзистор има електрическа проводимост на активната област между два електрода – канал, създаден умишлено в полупроводников материал, контролирана от електрическо поле, създадено от третия електрод. Каналът в полевия транзистор е обогатен с електрони и тогава се получава N проводимост, или е обеднен от електрони, за да се получи P проводимост.

product_large_54810

Заобикаляща канала проводимост е противоположна и възниква PN преход. В зависимост от изолацията между гейта и сорса има транзистор с изолиран гейт т.н МОS транзистор (metal oxid semiconductor) и транзистори с PN преход, при които гейта и канала образуват NP преход. В зависимост от проводимостта на канала имаме с Р канал (електронна проводимост) и с N канал (дупчеста проводимост). В зависимост от броя гейтове, имаме едногейтови е двугейтови транзистори. Двугейтовия транзистор има характеристики близки до електронната лампа хептод. Има също така TFT транзистор – много тънък транзистор от аморфен силиций, MOSFET полеви транзистор и др. Най-използван обаче си остава  MOS транзистора.

3. Транзистор на Шотки

Наречен на немския физик Валтер Шотки, този транзистор се получава, когато между колектора и базата на обикновен транзистор се свърже диод на Шотки. Това цели повишаването на бързодействието на транзистора. Тази схема работи в импулсен режим. В нормален усилвателен режим, диодът е запушен и не оказва влияние на работата на транзистора, когато обаче на входа се подадат краткотрайни импулси с големита 3-5V, диодът на Шотки се отпушва и част от входния ток се отклонява през него, като така предотвратява високо насищане на базата от неосновни токоносители, забавящо времето на превключване на транзистора.

4. Други транзистори

IGBT – наименованието IGBT идва от Insulated-Gate Bipolar Transistor. IGBT e триелектроден биполярен мощен електронен елемент използван главно като мощен електронен ключ в импулсни захранвания, инвертори и в системи за контрол на електрически задвижвания.

JFET e полеви транзистор с управляващ PN – преход. Наименованието JFET идва от Junction Field – Effect Transistor. В транзисторите JFET управлението на изходния ток се осъществява посредством входното напрежение.

MOSFET – metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (метал–оксид–полупроводников транзистор с полеви ефект). Той представлява електронна версия на ключ. MOS ключове се използват широко в компютри, микропроцесори, памети, периферни схеми и други. Предимства: високо входно съпротивление, ниска консумация на мощност, по-добра температурна стабилност, слаба чувствителност към радиация. Използват се в силовата електроника, аудио техниката, медицинската електроника, интегралните схеми, компютърна, автомобилна, авиационна, космическа индустрии, домакински уреди и др. Могат да са два типа: P-канален MOS-P-FET и N-канален съответно MOS-N-FET.

Фототранзистор – високочувствителен полупроводников  малкоинерционен преобразувател на светлинни сигнали в електрически. Фототранзисторите могат да усилват електрическия поток,  генериран чрез светлина. Фототранзисторите се предпочитани пред фотодиодите при необходимост от голяма мощност на изхода. За емитер се използва падащият светлинен сноп.

foto

Имаме и други транзистори, които намират приложение при създаването на електронни схеми като: VMOS, LDMOS, EOSFET, MODFET, MESFET и др.

Най-голямо приложение в съвременната цифрова техника намира MOSFET транзистора, като неговите размери непрекъснато намаляват. Размерът на съвременните MOSFET транзистори са от 90 до 8 нанометра. В един кристал с размери 1-2 кв.см. могат да се съберат няколко милиарда MOSFET. Намаляването на размерите на транзисторите увеличават тяхното бързодействие, а оттам и бързодействието на процесорите, като това допринася за намаляване на консумацията на енергия и отделянето на топлина. Навлиза също така използването на триизмерни интегрални схеми, което допълнително подобрява бързодействието и увеличава производителността на процесорите с повече от 30%.

Транзисторите успешно са изместили ползваните преди това вакуумни електронни лампи, поради своите преимущества, като малки размери, възможност за висока степен на автоматизация на производствените процеси, което води до снижение на стойността на произвежданите елементи, много дълъг живот, здравина, възможност за съчетание с различни допълнителни устройства и др.

5. Основни параметри на транзисторите

– максимално допустима разсейвана мощност – най-голямата мощност, която може да се отдели в колектора без да го повреди;

– максимално допустимо напрежение колектор-база и колектор-емитер – най-голямото напрежение, което може да се подаде между съответните изводи на транзистора без да го повреди;

– максимално допустим колекторен ток – най-големия ток на колектора, който може да протича дълго време без да го повреди;

– транзитна честота – най-голямата честота при схема ОБ (обща база), при която усилването по ток намалява с 30%;

– гранична честота – най-високата честота при схема ОЕ (общ емитер), при която усилването по ток намалява с 30%;

– коефициент на усилване по ток – показва колко пъти колекторния ток е по-висок от входния базов ток при схема ОЕ;